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一种电沉积硅的方法张士宪

一种电沉积硅的方法CNA 专利顾如 PatentGuru

2007年5月29日本专利由河北理工大学申请，公开，一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用下，由SiO2一步电沉积出硅的问题。摘要：一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用下，由SiO一步电沉积出硅的问题。特别之处是：它以NaCl、KCl、NaF构成的三组元为介质，一种电沉积硅的方法[发明专利]百度文库百度学术集成海量学术资源，融合人工智能、深度学习、大数据分析等技术，为科研工作者提供全面快捷的学术服务。在这里我们保持学习的态度，不忘初心，砥砺前行。>> 友情链接张士宪百度学术2020年8月25日本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅pn结的方法。背景技术：面对化石能源的日渐枯竭及其对环境的污染，探索和开发利用可持续新能源就显得尤为重要。一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅PN结的方法

一种利于硅沉积的多孔碳材料和硅碳负极材料及其制备方法和

2024年5月7日摘要：本发明属于锂离子电池材料领域，具体涉及一种利于硅沉积的多孔碳材料和硅碳负极材料及其制备方法和应用。所述多孔碳材料具有有效微介孔结构；所述多孔碳材 2014年10月5日 1980年,MRao和DElwell等 10 利用熔融的氟化物体系FLINAK添加K2SiF6于745 ℃条件下电沉积硅,取得了成功,利用银电极获得了粘合力强、致密的沉积硅层。 1996 电沉积硅技术的历史和发展趋势豆丁网2017年5月23日本试验主要是通过原子力学显微镜（AFM）的导电模式 CAFM 研究制备的硅薄膜的电学性质。探索不同试验条件对硅薄膜电学性质的影响以及影响硅薄膜电学性质的因素硅业副产物SiCl4资源化电沉积硅及其性能研究道客巴巴2022年9月9日描述了一种将锗从基于 GeO 2的水溶液电沉积到在 n 型高掺杂 (100) 硅晶片上形成的阳极中孔硅的孔通道中的方法。评估了沉积时间、孔道形状和多孔硅层在氢氟酸中预处理锗电沉积到多孔硅中用于硅锗合金化,Materialia XMOL

一种利用分子层沉积的硅碳负极包覆方法专利万方数据知识

2024年1月23日摘要：本发明公开了一种利用分子层沉积的硅碳负极包覆方法，包括：S1将硅基负极材料粉体置于分子层沉积装置中，通过流化或者旋转多孔容器的方法将硅基负极材料粉 2020年8月25日本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅pn结的方法。背景技术面对化石能源的日渐枯竭及其对环境的污染，探索和开发利用可持续新能源就显得尤为重要。利用太阳能光伏电池发电是一种新兴的、可再生的清洁能源，因此引起了人们的广泛关注。而在所有这些能一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅PN结的方法与流程 2013年3月1日《一种去除碳化硅基底上硅厚膜的方法》是中国科学院长春光学精密机械与物理研究所于2013年3月1日申请的专利，该专利的公布号为CNA，授权公布日为2013年7月17日，发明人是王彤彤、高劲松、王笑夷。该发明属于薄膜沉积技术领域。该发明属于薄膜沉积技术领域。《一种去除碳化硅基底上硅一种去除碳化硅基底上硅厚膜的方法百度百科2023年4月28日负极材料的结构与性质对锂离子电池的容量和电化学性能有着决定性的作用, 硅/碳复合材料因其高比容量而被认为是下一代锂离子电池最有前途的负极材料之一。其优异的锂离子嵌入能力和循环稳定性得到广泛研究与应用探索, 但循环过程中巨大的体积膨胀成为其商业化的障碍, 硅碳材料的结构与锂离子电池硅碳负极材料的应用研究进展

一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅PN结的方法

2020年8月25日本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅pn结的方法。背景技术面对化石能源的日渐枯竭及其对环境的污染，探索和开发利用可持续新能源就显得尤为重要。利用太阳能光伏电池发电是 2024年3月18日 2、化学气相沉积是一种表面改性的方法。用这种方法在多孔碳表面沉积硅，可以分散硅颗粒，有效防止硅材料的团聚，提高材料的电化学性能，降低硅碳复合材料中硅的膨胀应力，从而降低整个电极的体积膨胀率。由于碳可以充分抑制电极表面一种硅烷沉积的多孔碳的负极材料的制备方法及其应用2022年1月21日作为一个总的技术构思,本发明还提供了一种硅碳负极材料的制备方法,使用上述的CVD流化沉积装置进行制备,包括以下步骤: S1:通过载气输送机构向反应腔中输入载气,使反应腔内压力达到预设压力,通过碳基材料输送机构将碳基材料输入反应腔中,调整导流板使碳基材料产生流 CVD流化沉积装置及硅碳负极材料的制备方法百度文库2018年6月16日本发明涉及锂离子电池领域，特别涉及一种SiCl4原位沉积制备具有微纳结构的硅碳复合材料的方法。（二）背景技术由于传统能源汽车(即燃油车)带来污染，近年来已有多个国家相继宣布全面禁售燃油汽车时间表。新能源汽车(即电动汽车)被认为是未来汽车发展主要方向。其中，电池是新能源汽车发展 SiCl4原位沉积制备具有微纳结构的硅碳复合材料的方法与流程

一种电沉积硅的方法[发明专利]百度文库

摘要：一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用下，由SiO一步电沉积出硅的问题。特别之处是：它以NaCl、KCl、NaF构成的三组元为介质，其中 NaCl 、KCl 、NaF三组元的摩尔比为：1∶1∶05～1∶1∶4 5 ，加入占熔 2020年5月13日但是由于这些方法对可制备的金属单原子或载体有一些特殊的要求，还不能实现对金属单原子和载体材料的无选择性制备。近日，中国科学技术大学曾杰教授（点击查看介绍）课题组利用电化学沉积技术发展出了一种制备中科大曾杰课题组Nature Commun：电化学沉积实 2022年10月19日本发明属于材料合成技术领域，具体涉及一种超高纯二氧化硅颗粒的制备方法。该方法包括以下步骤：采用化学气相沉积法，将氢气、氧气和含硅前驱体通入炉体制备二氧化硅颗粒；将所述二氧化硅颗粒进行酸浸，去除可一种超高纯二氧化硅颗粒的制备方法 2022年3月1日本发明公开一种多孔碳掺杂诱导硅沉积的硅碳负极材料及其制备方法，将粘合剂、导电碳黑和碳纳米管加入水中，得到混合溶液，在180℃ ～200℃对混合溶液进行喷雾干燥，得到多孔碳前驱体；对多孔碳前驱体进行热处理，得到多孔碳材料，在多孔碳材料一种多孔碳掺杂诱导硅沉积的硅碳负极材料及其制备方法[发明

一种电沉积硅的方法CNA 专利顾如 PatentGuru

2007年5月29日本专利由河北理工大学申请，公开，一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用下，由SiO2一步电沉积出硅的问题。特别之处是：它以NaCl、KCl、NaF构成的三组元为介质，其中N专利查询 2024年2月7日本发明涉及一种在石英玻璃表面沉积碳化硅涂层的方法，具体步骤如下：1)抽真空使沉积腔内压强降到10Pa以下；2)向沉积腔内通入氢气，调节沉积腔内压强为200～2000Pa，加载激光对石英玻璃表面进行刻蚀；3)将沉积腔内一种在石英玻璃表面沉积碳化硅涂层的方法2024年2月6日一种锂离子电池用的硅碳负极材料及其制备方法，所述硅碳负极材料的结构是以多孔碳基体为核心，在所述多孔碳基体中具有气相沉积纳米硅材料，在所述多孔碳基体外表面具有碳包覆层；其中所述多孔碳基体通过低场核磁共振测试的孔径分布满足如下择一条件：①02nm‑7nm具有双峰分布；②1nm以下一种锂离子电池用的硅碳负极材料及其制备方法专利万方数据 2024年5月7日本发明属于锂离子电池材料领域，具体涉及一种利于硅沉积的多孔碳材料和硅碳负极材料及其制备方法和应用。所述多孔碳材料具有有效微介孔结构；所述多孔碳材料中有效微介孔的孔容积占比为90％及以上；所述有效微介孔的孔径尺寸为035～10nm。一种利于硅沉积的多孔碳材料和硅碳负极材料及其制备方法和

一种在石墨模板上大面积沉积碳化硅薄膜的制备方法与流程

2019年1月14日本发明属于新材料技术领域，具体涉及一种在石墨模板上大面积沉积碳化硅薄膜的制备方法。背景技术随着柔性AMOLED、5G时代的来临，3D曲面造型及玻璃材质将成为的标准配置。3D曲面屏能够改善用户视觉体验，使视角更加广，有一定的立体效果，画面更加3D。3D玻璃生产加工工艺的流程主要 2023年12月9日本申请涉及一种应用于气相沉积硅工艺的多孔炭材料的制备方法，属于电化学领域。背景技术： 1、生物质基炭材料是极具发展前景的前沿新材料，具有独特的天然微结构、材料纯度高、功能多样性、且结构易调控等优点，一种应用于气相沉积硅工艺的多孔炭材料的制备方法 2021年12月31日本专利由安徽工业大学申请，公开，本发明公开了一种电沉积制备FeCoNiCuSn高熵合金的方法，属于电镀技术领域，该方法首先将氯化胆碱、乙酰丙酸和蒸馏水恒温搅拌得到透明的低共熔溶剂，接着将氯化亚一种电沉积制备FeCoNiCuSn高熵合金的方法CN114硅沉积的方法多种多样，每种方法都针对特定的要求，如薄膜质量、厚度、均匀性和沉积速率。常见的技术包括低压化学气相沉积过程:ALD 是一种连续的自限制过程，通过交替接触不同的前驱体，每次沉积一层原子薄膜。硅沉积的方法有哪些？探索精密应用的关键技术

一种低温沉积氮化硅薄膜的方法 X技术网

2015年12月9日基于等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术的氮化硅薄膜技术主要应用于半导体器件和集成电路的研制中，用作芯片的钝化层和多层布线间的介质膜。在大多数氮化硅薄膜的沉积工艺过程中，如果沉积温度降低至400°C以下，薄膜性能会受到较大影响。因此，在低温下沉积出性能稳定的氮化硅薄膜，是 2006年9月20日本发明涉及一种采用化学气相沉积(CVD)在低温下制备SiNx薄膜的方法，更确切地说是以NH3为氮源，以有机硅源前驱体为硅源，采用低压化学气相沉积(LPCVD)工艺在低温下制备SiNx薄膜的方法，属于半导体薄膜领域。背景技术在半导体集成电路中，用于器件之间以及布线之间电气隔离的绝缘膜是非常重要的一种低温化学气相沉积制备氮化硅薄膜的方法 X技术网2024年1月23日本发明公开了一种利用分子层沉积的硅碳负极包覆方法，包括：S1将硅基负极材料粉体置于分子层沉积装置中，通过流化或者旋转多孔容器的方法将硅基负极材料粉体分散，根据需要沉积有机包覆层的种类，选择反应的前驱体和第二前驱体，设置沉积工艺参数；S2在氮气或氩气携带下将前驱一种利用分子层沉积的硅碳负极包覆方法专利万方数据知识 2009年11月17日李运刚共申请了5个专利，3个已经授权，最早的申请的专利是一种电沉积硅的方法，最近申请的专利是 Mo—Mo+Si+Al功能梯度材料及其制备方法。李运刚申请专利主要的技术方向包括： gds曲线 , 洁净彩钢板 , 热应力控制最主要的合作人是: 梁精龙 , 张士宪 , 王艳春。李运刚(河北理工大学)的发明专利专利顾如 PatentGuru

一种制备氧化硅薄膜的方法百度学术

2020年12月11日摘要：本发明公开了一种制备氧化硅薄膜的方法,该方法是利用等离子体增强原子层沉积在衬底表面制备氧化硅薄膜,包括以下步骤:将衬底置于反应腔体内,抽真空,加热;将氧等离子体与硅源喷向衬底表面,在喷淋过程中氧等离子体与硅源在硅片表面发生反应生成氧化硅,得到氧化硅薄膜本发明制备氧化 2010年3月29日电沉积制备三维硅光子晶体的方法，它涉及一种三维硅光子晶体的制备方法。本发明解决现有三维硅光子晶体制备方法填充率低、成本高、无法在室温下实现的问题。本发明的方法：一、制备胶体晶体模板；二、配置电解液；三、在胶体晶体模板上填充还原硅；四、化学腐蚀法去除胶体晶体模板。CNA 电沉积制备三维硅光子晶体的方法 Google 2024年2月2日本发明公开了一种硅烷沉积的多孔碳的负极材料的制备方法及其应用。本发明的通过硅烷沉积在多孔碳中制备用于电极的硅碳复合材料，包括用水或乙醇与多孔碳材料混合后加热真空处理，实现气体充分地排除，并在水或乙醇中添加表面活性剂和硅烷偶联剂，提高水或乙醇与多孔碳之间的浸润性，再一种硅烷沉积的多孔碳的负极材料的制备方法及其应用专利 2022年7月17日邹星礼; 李金键; 张学强; 李想; 庞忠亚; 汪淑娟; 熊晓璐; 李光石; 许茜; 鲁雄刚。一种高温熔盐电沉积制备高纯铁的方法。2021年，CN57 。摘要：本发明公开了一种高温熔盐电沉积制备高纯铁的方法,涉及冶金新技术及高纯材料制备领域。本发明采用CaCl2Fe2O3CaO为熔盐体系,在恒电流、恒电压一种高温熔盐电沉积制备高纯铁的方法上海大学氢冶金与低碳

一种电沉积制备无铅钙钛矿薄膜的方法豆丁网

2023年12月3日 5根据权利要求3所述的一种电沉积制备无铅钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，所述阴极和所述阳极面对面平行设置，两电极之间间距为5‑50毫米。6根据权利要求1所述的一种电沉积制备无铅钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，所述溶2021年7月30日本发明涉及属于多带隙太阳能电池吸收层材料的制备方法，具体涉及一种电沉积三带隙铬掺杂铜锌锡硫太阳能电池薄膜材料的制备方法。背景技术能源产业作为国民经济的基础，为社会经济的可持续发展和人们的健康生活提一种电沉积法制备三带隙铬掺杂铜锌锡硫太阳能电池 2023年10月18日本发明公开了一种硅基光电极及其制备方法和应用，属于电极材料技术领域。本发明提供的硅基光电极的制备方法，包括以下步骤：将硅片进行沉积，得到所述硅基光电极；所述硅片包括n型硅片、p型硅片或pn型硅片中的至少一种。本发明将硅片作为光吸收基底材料，利用简单的沉积手段作为光电极一种硅基光电极及其制备方法和应用专利万方数据知识服务平台2007年5月29日本发明涉及一种电沉积方法，特别是在熔盐体系中电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域。硅具有优异的物理化学及半导体性能 (熔点高，硬度大，热稳定性好，禁带宽度大)，目前已广泛应用于冶金、化工、电子工业、宇宙飞船、人造卫星等方面。硅在自然界分布很广，占地壳质量的276％，仅次于氧。在自然界没有游离形态的硅，大都是以氧化物 (SiO 2)的 CNA 一种电沉积硅的方法 Google Patents

一种电沉积硅的方法CNA 专利顾如 PatentGuru

2007年5月29日本专利由河北理工大学申请，公开，一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用下，由SiO2一步电沉积出硅的问题。摘要：一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用下，由SiO一步电沉积出硅的问题。特别之处是：它以NaCl、KCl、NaF构成的三组元为介质，其中 NaCl 、KCl 、NaF三组元的摩尔比为：1∶1∶05～1∶1∶4 5，加入占熔盐介质质量百分数的10％的粉状SiO；经过预电解除杂，在电沉积温度800℃～950℃、电沉积时间05～3小时、电流密度为一种电沉积硅的方法[发明专利]百度文库百度学术集成海量学术资源，融合人工智能、深度学习、大数据分析等技术，为科研工作者提供全面快捷的学术服务。在这里我们保持学习的态度，不忘初心，砥砺前行。>> 友情链接张士宪百度学术2020年8月25日本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅pn结的方法。背景技术：面对化石能源的日渐枯竭及其对环境的污染，探索和开发利用可持续新能源就显得尤为重要。一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅PN结的方法与流程

一种利于硅沉积的多孔碳材料和硅碳负极材料及其制备方法和

2024年5月7日摘要：本发明属于锂离子电池材料领域，具体涉及一种利于硅沉积的多孔碳材料和硅碳负极材料及其制备方法和应用。所述多孔碳材料具有有效微介孔结构；所述多孔碳材料中有效微介孔的孔容积占比为90％及以上；所述有效微介孔的孔径尺寸为035～10nm。本发明的关键在于采用添加有机活化剂和无机活化剂的双重活化法，精准调控多孔碳材料的孔结构，得到有 2014年10月5日 1980年,MRao和DElwell等 10 利用熔融的氟化物体系FLINAK添加K2SiF6于745 ℃条件下电沉积硅,取得了成功,利用银电极获得了粘合力强、致密的沉积硅层。 1996年,JanR 1常规渗硅方法固体粉末渗硅法是最常用的渗硅方法,渗硅温度一般为950～1050℃,而且硅铁消耗量大。固体粉末法其主要原料为硅源、填充剂和活化剂 1 。这种工艺的渗硅层经常存在气孔,有电沉积硅技术的历史和发展趋势豆丁网2017年5月23日本试验主要是通过原子力学显微镜（AFM）的导电模式 CAFM 研究制备的硅薄膜的电学性质。探索不同试验条件对硅薄膜电学性质的影响以及影响硅薄膜电学性质的因素。 1 试验材料与实验方法 11 试剂和仪器 1丁基3甲基咪唑双三氟甲磺酰亚胺盐（ [BMIM]TF2N）；四氯化硅；碳酸丙烯酯（PC）；均为分析纯。 CAFM 仪器；拉曼测试仪，633 nm 激光；SEM 测硅业副产物SiCl4资源化电沉积硅及其性能研究道客巴巴2022年9月9日描述了一种将锗从基于 GeO 2的水溶液电沉积到在 n 型高掺杂 (100) 硅晶片上形成的阳极中孔硅的孔通道中的方法。评估了沉积时间、孔道形状和多孔硅层在氢氟酸中预处理的影响。锗电沉积到多孔硅中用于硅锗合金化,Materialia XMOL