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激光加工SiC f /SiC陶瓷基复合材料大深径比小孔研究
针对SiC f /SiC陶瓷基复合材料耐热构件大深径比小孔加工需求，应综合考虑加工质量、加工效率、加工工况等因素，选择合适的制孔技术。 高级 首页2024年12月27日 SiC和SiCf作为一种新型的高强材料和耐高温陶瓷，具有低密度 ( 2 ~ 3g/cm3)、耐高温 (>1500℃)、耐腐蚀、力学性能优异等特点。 然而，陶瓷基材料的加工是极其困难的， 北京航空航天大学水导激光加工SiC/SiC复合材料的工艺参数优化2019年11月18日 摘要： SiC 单晶材料作为第三代半导体衬底材料，在制作高频、大功率电子器件等领域有着广泛的应用前景，而 SiC 加工技术对制作衬底材料起到决定作用。 介绍了 SiC S i C 晶片加工技术现状与趋势 杭州九朋新材料有限责任公司2024年9月3日 碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，具有比传统硅（Si）更高的热导率、电场饱和、漂移速度和击穿电压，因而在高功率、高频率电子器件中表现出显著的优势。 其 SiC衬底材料应用领域及基本加工流程 深圳平湖实验室
SiCf/SiC材料加工：水导激光之外，这些激光技术也超 “能打”
2025年2月5日 在现代工业的广阔领域中，SiCf/SiC 材料凭借其优异的高温稳定性、高比刚度、低密度以及出色的抗氧化和抗辐照性能，在航空航天、核能等高端领域备受青睐。 以航空发动 2024年10月8日 SiC已成为国防军工、6G通信、新能源汽车等重要行业转型升级中的核心材料。目前，SiC单晶衬底的典型加工工艺包括：单晶生长、退火、定向、磨平面、滚圆、磨边、切 超快激光垂直改质SiC单晶材料的技术 电子工程专辑 EE 2025年1月10日 激光加工凭借诸多优势进入研究者视野，其中水导激光更是在精度与效率间寻得平衡，成为加工 SiCf/SiC 材料的有力手段。 水导激光 加工参数与加工结果呈非线性关系，精 水导激光加工SiC和SiC复合材料工艺参数优化大揭秘 库维科技2025年2月4日 激光加工凭借诸多优势进入研究者视野，其中水导激光更是在精度与效率间寻得平衡，成为加工 SiCf/SiC 材料的有力手段。 水导激光加工参数与加工结果呈非线性关系，精准 水导激光加工SiC及 SiC复合材料：工艺参数这样优化
2024最新：单晶SiC超精密加工研究进展
2024年5月20日 单晶碳化硅 (SiC)的高脆性、高硬性和强化学惰性是制约第三代半导体超精密抛光发展的关键,实现衬底高效率、超光滑表面的加工具有挑战性。 对于单晶SiC的化学机械抛光 2024年11月21日 关键字： Ceramicmatrix composites; Large aspect ratio small holes; Laser processing; processing efficiency; processing quality CN号： 111801/TB 开通时间： 最后 激光加工SiC (f)/SiC陶瓷基复合材料大深径比小孔研究以上几种加工方法是陶瓷加工的主要方法，其中磨削是最广泛使用的方法。本文主要研究采用磨削工艺加工SiC陶瓷。 2 SiC陶瓷加工工艺研究 主要探讨磨削工艺参数与SiC陶瓷表面粗糙度的关系，得出它们之间的影响关系，以便有效地控制磨削表面质量。SiC陶瓷的磨削加工工艺研究 百度文库アルミナ・ジルコニア・窒化ケイ素・炭化ケイ素などの高精度、難形状のセラミック切削加工品をご提供します。モリセ精工はテスト・試作加工から量産品まで他社で断れたことのなるような難加工品の切削加工が得意です。セラミック SiCなど高精度セラミック研削加工ならモリセ精工へ
SiC陶瓷的磨削加工工艺研究 百度文库
SiC陶瓷的磨削加工工艺研究4景璀，匡永书《导电陶瓷的电火花线切割加工工艺研究》电子工艺技术1995年第1期。 田良夫、Inasaki等相继提出、开发了高速磨削缓进给磨、One pass镜面磨削、恒压力磨削、高速深磨加工及高速往复磨削等高效磨削工艺。摘要: SiC f /SiC陶瓷基复合材料(SiC f /SiC复合材料)具有各向异性、高硬度和低导电性等特点，导致其大深径比小孔难以加工。 飞秒激光加工和水导激光加工属于先进激光加工方法，具有加工质量可控、自动化加工、加工成本低等优势，是解决SiC f /SiC复合材料大深径比小孔的优选技术方案。激光加工SiC f /SiC陶瓷基复合材料大深径比小孔研究2024年11月21日 教授 博士生导师 硕士生导师 主要任职：机械工程学院副院长 性别：男 毕业院校：大连理工大学 学位：博士 所在单位：机械工程学院 学科：机械制造及其自动化激光加工SiC (f)/SiC陶瓷基复合材料大深径比小孔研究摘要： SiC/SiC复合材料具有硬度高,脆性大等特点,属于典型的难加工材料,制备冷却孔主要采用激光加工的方法毫秒激光与纳秒激光主要是利用光热作用迅速加热目标材料,使之熔融,气化,并借助高速气流来移除材料,由于纳秒激光的脉冲持续时间短,能量密度高,因此更容易实现材料的气化,并且引 激光类型对SiC/SiC复合材料孔加工的影响 百度学术
特集 SiC半導体 ウエハ の加工技術
2020年6月12日 ら加工歪 み深さを 見積 もる ステップポリッシュ 法によ って 調査 した 結果 をFig 7に示す． 砥石 とボンド の組み 合わせによって 固定 された ダイヤモンド 砥粒 が大きく なると 特異的 なクラック が発生 することがわかり SiCウ ェハ の加工 では 株式会社 寿原テクノス 福岡ファクトリーは、ガラス、セラミックス細穴加工、深穴加工のプロフェッショナル。RsJAPANは、一般的なガラス加工方法として、「超音波スピンドル」を皆さまに認識いただき、さらなる普及を目指して 株式会社 寿原テクノス 福岡ファクトリー 石英ガラ 基于优化的工艺参数，进行深小孔加工工艺探索。为提高加工效率，提出了使用激光空气中预制孔和水助激光扩孔的复合加工工艺方案，最终得到高效率、低损伤、表面光洁的深小孔结构，其加工效率较水助激光深度补偿深小孔加工方案提升9111%。C/SiC陶瓷基复合材料激光抛光及钻孔工艺研究学位万方 小径孔加工小径孔加工 技術特長高歩留まり006㎜〜極小径孔加工ダメージレス加工小径孔加工 技術例加工例孔径Φ006× 深さ 06 ㎜（Si）孔径Φ04× 深さ 30㎜（Si）孔径Φ10× 深さ50㎜（Alumina）孔径Φ05× 深さ13㎜（SiC）小径孔 受託加工 事業案内 芝技研
碳化硅增强铝基复合材料切削加工研究进展 chinatool
2017年3月15日 复合加工技术磨削高体分SiCp／Al复合材料，在磨 削参数相同的情况下，对比分析了旋转超声复合加 工与传统磨削加工在磨削力和加工表面形貌的不 同，以研究旋转超声复合磨削技术加工SiCp／Al复 合材料的材料去除机理。研究发现，旋转超声复合SiC晶片的超精密加工工艺多线切割工艺原理：多线切割工艺就是将晶锭按照一定 的晶向，将晶锭切割 成表面平整、厚度均匀一的切割片，以 便于后面的研磨加工。其基本原理是优质钢线在晶锭表面高 速来回运动，附着在钢丝上的切割液中的金刚石颗粒 SiC晶片的超精密加工工艺百度文库2025年1月6日 同时，加工过程中的切削速度、进给率、切削深度等参数也需要进行优化。此外，由于SiC工程陶瓷在加工 过程中易产生微裂纹和热损伤，因此需要研究如何通过工艺优化来减小这些损伤。四十三、超声辅助制孔工艺的优化 在超声辅助制孔工艺中 《SiC工程陶瓷超声辅助制孔机理及加工工艺研究》 豆丁网2024年10月24日 SiC基板加工の課題 SiC基板加工にはいくつかの課題があります。その中でも、代表的な課題を2つ紹介します。 課題1：SiとSiCの加工プロセスの違い 後発となるSiCの加工プロセスにおいてもSiに習うのが常道と考え SiC半導体とは？基板加工技術について分かりやす
基于灯丝效应的飞秒激光深微孔加工技术孔深研究,Optik XMOL
2021年11月15日 陶瓷基复合材料由于其优异的性能已应用于新一代航空发动机的涡轮部件。尽管 SiC/SiC 复合材料具有优越的耐高温性能，但仍需结合薄膜冷却技术来保证涡轮部件的正常功能。SiC陶瓷的磨削加工工艺研究（4）磨削深度对表面粗糙度影响磨削深度对SiC陶瓷表面粗糙度影响如图4所示。 田良夫、Inasaki等相继提出、开发了高速磨削缓进给磨、One pass镜面磨削、恒压力磨削、高速深磨加工及高速往复磨削等高效磨削工艺。SiC陶瓷的磨削加工工艺研究 百度文库我们已与文献出版商建立了直接购买合作。 你可以通过身份认证进行实名认证，认证成功后本次下载的费用将由您所在的图书馆支付 您可以直接购买此文献，1~5即可下载全文，部分资源由于网络原因可能需要更长时间，请您耐心等待哦~飞秒激光加工SiC/SiC复合材料厚板的孔型特征研究 百度学术sic加工工艺百度文库 1 切割 切割是SIC加工的首要步骤，主要用于将原始SIC材料切割成所需的形状和尺寸。 常用的切割方法包括磨削切割、线切割和激光切割。 其中，磨削切割是最常见的方法，通过 2021年11月24日 介绍了SiC国内外加工技术的研究现状，分析和对比了切割、研磨、抛 sic深加工sic深加工sic深加工
難加工材 SiC セラミックスのレーザアブレーションと レーザ
し、SiC に関するレーザ加工はSiC 結晶を対象とした報 告が主流で、SiC セラミックスについては加工（ダメージ） 閾値フルーエンスやアブレーション率（レーザ1 照射あた りに掘れる深さ）のレーザフルーエンス依存性などの加工2015年6月9日 粉机械抛光方法可以获得很高的平面度,但加工表面 有较深的加工变质层。化学抛光法(化学腐蚀法)虽然 不产生加工变质层,但加工精度,特别是平面度、表面 粗糙度难以保证。又由于SiC化学惰性高,所以化学 抛光法比较难以实现。化学机械抛光方法是化合物半SiC单晶片的超精密加工 豆丁网2025年1月9日 SiC 单晶材料具有硬且脆的特性，这给它的切片加工带来了不小的难题，同时对磨削精度也提出了很高的要求。所以，晶圆制造往往是一个耗时较长且难度系数颇高的复杂过程。本文将着重介绍几种应用于 SiC 单晶的切割加工技术，以及近年来新出现的一些晶圆制备方法。碳化硅（SiC）单晶衬底加工技术行业新闻芯率智能芯率 单面研磨6HSiC 单晶片的加工表面性能分析单面研磨6HSiC 单晶片的加工 加载重量条件下，大粒径磨料所受平均加载力比小粒径磨料要大，造成大颗粒磨粒切削深度深，且接触晶片表面的切削边较长，相对脆性断裂残留在晶片表面的断裂凹痕越大 单面研磨6HSiC 单晶片的加工表面性能分析 百度文库
SiC单晶片的超精密加工百度文库
2005年7月25日 SiC单晶片的超精密加工70功能材料*2006 年第 1 期 ( 37) 卷SiC 单晶片的超精密加工李娟, 陈秀芳, 马德营, 姜守振, 李现祥, 王 丽, 董 捷, 胡小波, 徐现刚, 王继扬, 蒋民华( 山东大学 晶体材料国家重点实验室 , 山东 济南 ) 10 9 M Pa; 籽晶温度为 年5月20日 加工损伤和掺杂对SiC阳极氧化的促进作用主要是由SiC表面的加工残余应变和掺杂应变引起的。 压缩应变和拉伸应变均能提高SiC的阳极氧化速率。 在此基础上,2022年,XZYang等人通过模拟质量分数1%NaCl水溶液中SiC的阳极氧化体系,研究了SiC表面阳极氧化过程中的电荷利用效率,并阐明其机理。2024最新：单晶SiC超精密加工研究进展2020年9月23日 炭化ケイ素（SiC）の加工実績①：ガラスモールド用非球面金型 こちらは、ガラスレンズを成形するために用いられる超精密非球面金型です。 超精密研削加工によって仕上げ加工を行い、PV値は最大で約015μm、表面 炭化ケイ素（SiC）の超精密加工について « 超精密 碳化硅（Silicon Carbide，SiC）G81钻孔加工：产业应用 碳化硅（Silicon Carbide，SiC）的钻孔特征广泛应用于 半导体产业，尤其在一些半导体制造工艺中（如蚀刻、薄膜等），被用作晶圆代工关键零部件的材料，如 SiC showerheads、SiC静电吸盘（ESC，EChuck，Electrostatic Chuck）、SiC晶圆座 等。碳化硅 (SiC) : G81钻孔加工 汉鼎智慧科技 ｜超声波加工模块
SiC纤维增强陶瓷基复合材料的水导激光加工技术研究学位万
SiC纤维增强陶瓷基复合材料(SiCf/SiC)作为一种具有高强度、高韧性、高热导率以及低热膨胀系数、低密度的新型材料，被广泛 2023年9月8日 また、SiCウエハの厚みを確認して、粗加工、鏡面加工仕上げの厚みを決めます。 2 片面LAP加工 金属定盤とSiC加工専用スラリー（研磨剤）を用いて、厚みを薄くすると共に材料にあるうねりや凹凸、ソリを矯正します SiC研磨とは｜平面研磨加工のニットーSiC 的加工质量和精度的优劣 ,直接影响到其器 件的性能 。比如当晶片表面有微小缺陷时 ,会遗传给 外延生长膜而成为器件的致命缺陷 。但是 ,由于 SiC 硬度仅次于金刚石 ,其莫氏硬度为 9 2 ;而且化学稳定 性好 ,常温下几乎不与其它物质反应 ,故 SiC SiC单晶片的超精密加工百度文库针对SiC f /SiC陶瓷基复合材料耐热构件大深径比小孔加工需求，应综合考虑加工质量、加工效率、加工工况等因素，选择合适的制孔技术。 高级 首页激光加工SiC f /SiC陶瓷基复合材料大深径比小孔研究
北京航空航天大学水导激光加工SiC/SiC复合材料的工艺参数优化
2024年12月27日 SiC和SiCf作为一种新型的高强材料和耐高温陶瓷，具有低密度 ( 2 ~ 3g/cm3)、耐高温 (>1500℃)、耐腐蚀、力学性能优异等特点。 然而，陶瓷基材料的加工是极其困难的，研究人员考虑采用激光加工SiCf / SiC材料。 激光加工体现在其加工质量好、非接触加工、对材料的热输入低、易于与数控技术结合等方面。 在激光加工的各种方法中， 水导纳秒激光 具有平衡的 2019年11月18日 摘要： SiC 单晶材料作为第三代半导体衬底材料，在制作高频、大功率电子器件等领域有着广泛的应用前景，而 SiC 加工技术对制作衬底材料起到决定作用。 介绍了 SiC 国内外加工技术的研究现状，分析和对比了切割、研磨、抛光加工工艺的机理及晶片平整度、粗糙度的变化趋势，并指出 SiC 单晶片加工过程中存在的问题和未来的发展趋势。 宽禁带半导体材料 S i C 晶片加工技术现状与趋势 杭州九朋新材料有限责任公司2024年9月3日 碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，具有比传统硅（Si）更高的热导率、电场饱和、漂移速度和击穿电压，因而在高功率、高频率电子器件中表现出显著的优势。 其中，SiC衬底作为制备这些器件的基础，其晶体质量和物理性能对器件性能具有至关重要的影响。 碳化硅（SiC）加工流程 SiC衬底的晶体质量对器件的电特性和可靠性至关重要。 高质量的SiC SiC衬底材料应用领域及基本加工流程 深圳平湖实验室2025年2月5日 在现代工业的广阔领域中，SiCf/SiC 材料凭借其优异的高温稳定性、高比刚度、低密度以及出色的抗氧化和抗辐照性能，在航空航天、核能等高端领域备受青睐。 以航空发动机为例，其涡轮叶片、喷口导流叶片等关键部件若采用 SiCf/SiC 材料制造，不仅能够承受更高的温度，大幅提升发动机的热效率，还可有效减轻重量，降低油耗，增强飞行器的机动性。 但 SiCf/SiC SiCf/SiC材料加工：水导激光之外，这些激光技术也超 “能打”
超快激光垂直改质SiC单晶材料的技术 电子工程专辑 EE
2024年10月8日 SiC已成为国防军工、6G通信、新能源汽车等重要行业转型升级中的核心材料。目前，SiC单晶衬底的典型加工工艺包括：单晶生长、退火、定向、磨平面、滚圆、磨边、切割、倒角、研磨、抛光及清洗。2025年1月10日 激光加工凭借诸多优势进入研究者视野，其中水导激光更是在精度与效率间寻得平衡，成为加工 SiCf/SiC 材料的有力手段。 水导激光 加工参数与加工结果呈非线性关系，精准识别困难重重。水导激光加工SiC和SiC复合材料工艺参数优化大揭秘 库维科技2025年2月4日 激光加工凭借诸多优势进入研究者视野，其中水导激光更是在精度与效率间寻得平衡，成为加工 SiCf/SiC 材料的有力手段。 水导激光加工参数与加工结果呈非线性关系，精准识别困难重重。水导激光加工SiC及 SiC复合材料：工艺参数这样优化2024年5月20日 单晶碳化硅 (SiC)的高脆性、高硬性和强化学惰性是制约第三代半导体超精密抛光发展的关键,实现衬底高效率、超光滑表面的加工具有挑战性。 对于单晶SiC的化学机械抛光 (CMP),分别从材料去除和工艺优化两个维度出发,阐述了CMPSiC的影响因素和规律,指出了该方法的不足。 介绍了光催化、超声振动、电场、等离子体、磁流变、表面预处理等辅助CMP抛光 2024最新：单晶SiC超精密加工研究进展
激光加工SiC (f)/SiC陶瓷基复合材料大深径比小孔研究
2024年11月21日 关键字： Ceramicmatrix composites; Large aspect ratio small holes; Laser processing; processing efficiency; processing quality CN号： 111801/TB 开通时间： 最后更新时间：